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國內首批!銘鎵半導體實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破
文章來源:永阜康科技 更新時間:2023/3/14 10:26:00
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近日,從順義科創集團獲悉,入駐企業北京銘鎵半導體有限公司實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破,成為國內首批掌握第四代半導體4英寸氧化鎵單晶襯底生長技術公司之一。


銘鎵半導體工作人員在做相關試驗。

北京銘鎵半導體有限公司創始人、董事長陳政委向記者介紹,穩態氧化鎵晶體為單斜結構,存在(100)和(001)兩個解理面,主面(001)晶體的生長對工藝過程控制的要求極高,也更適于制備功率半導體器件,因此控制生長主面(001)晶相氧化鎵晶體難度非常大。陳政委告訴記者:“此次,我們使用導模法成功制備了高質量4英寸(001)主面氧化鎵單晶,完成了4 英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破,并且將進行多次重復性實驗,從很大程度上解決了氧化鎵晶體生長的相關技術難題!

北京銘鎵半導體有限公司成立于2020年,專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造,是國內較早將半導體氧化鎵材料產業化落地的企業之一。2022年6月,該公司完成了由社會資本領投8千萬元A輪融資,順義科創集團及時準確掌握企業發展訴求,騰退園區989平方米閑置廠房,協助企業解決擴產空間需求,助推氧化鎵擴大加工線及新建潔凈室順利落地。2023年底完成擴產計劃后,銘鎵半導體將建成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延、性能測試于一體的氧化鎵完整產業線,成為年產千片以上規模的氧化鎵材料企業,滿足下游100多家器件設計、制造封裝工業企業與科研院所的材料供應需求。


銘鎵半導體潔凈室。

陳政委表示,在完成4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破的同時,公司光學晶體已完成中試,開始轉型規;慨a,其生產的摻雜人工光學晶體已獲得客戶的廣泛認可,另外磷化銦多晶材料產線也已上線運營,完成重點客戶認證工作,并獲得長期穩定性訂單。

目前,銘鎵半導體已研制并生產出高質量、大尺寸氧化鎵單晶片與外延片、大尺寸藍寶石窗口材料、磷化銦多晶及單晶襯底、高靈敏日盲紫外探測傳感器件、高靈敏光電型局部放電檢測系統等產品。

 
 
 
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